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 Deutsche-Politik-News.de ! Weitere News: Vierfach-MOSFET-Lösung von Fairchild Semiconductor ermöglicht besseren Wirkungsgrad bei aktiven Brückenschaltungen und benötigt keine Wärmesenke

Veröffentlicht am Montag, dem 29. April 2013 @ 16:34:19 auf Freie-PresseMitteilungen.de

(359 Leser, 0 Kommentare, 0 Bewertungen, Durchschnittsbewertung: 0,00)



Vier 60 V MOSFETs in einem gemeinsamen Gehäuse als Ersatz von Dioden-Brückenschaltungen verbessern die Systemeffizienz und ermöglichen ein kompaktes Design bei kleinerer Leiterplattenfläche

Fürstenfeldbruck - 29. April 2013 - Die starke Wärmeentwicklung in leistungsfähigen, kompakten aktiven Brückenschaltungen, wie beispielsweise bei Netzwerkkameras, kann Probleme bei der Bildqualität verursachen. Auch thermisch bedingte Störungen können die Bildsensoren des Systems beeinflussen, so dass sich die Bildqualität der Kameras verschlechtern kann. Die typischen Wärmesenken, welche die thermischen Schwankungen ausgleichen sollen, können durch zusätzlich notwendige Bauteile und Leiterplattenfläche die Komplexität dieser Designs noch erhöhen. Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS) hat mit dem FDMQ86530L 60V Quad-MOSFET eine All-in-One-Lösung für diese kritischen Design-Herausforderungen entwickelt.

Die FDMQ86530L Lösung besteht aus vier 60 V N-Kanal MOSFETs und nutzt die GreenBridgeTM Technologie von Fairchild, die den Leitungsverlust und Wirkungsgrad konventioneller Dioden-Brückenschaltungen verbessert. Damit lässt sich eine Reduzierung der Verlustleistung um das bis zu Zehnfache erreichen. Das Bauteil ist in einem thermisch optimierten, platzsparenden 4,5 x 5,0 mm großen 12-poligen MLP-Gehäuse erhältlich und benötigt keine Wärmesenke. Dadurch ist nicht nur ein kompaktes Design, sondern auch ein höherer Wirkungsgrad von 12V- und 24V-AC-Anwendungen möglich.

Spezifikation:

- Max. RDS(ON) = 17,5 m bei VGS = 10 V, ID = 8 A
- Max. RDS(ON) = 23 m bei VGS = 6 V, ID = 7 A
- Max. RDS(ON) = 25 m bei VGS = 4,5 V, ID = 6,5 A

Gehäusetypen und Preise (in USD ab 1.000 Stück)
Muster sind auf Anfrage erhältlich - Lieferzeit ca. 8-12 Wochen
- Das Produkt FDMQ86530L ist in einem 4,5 x 5,0 mm großen 12-poligen MLP-Gehäuse verfügbar und kostet $1,38

Das Bauteil gehört zu dem umfassenden Portfolio von diskreten MOSFETs von Fairchild. Das Unternehmen ist bestrebt durch innovative Gehäusetechnologien Lösungen mit einer minimalen Größe, einem maximalen thermischen Verhalten und einem hohen Wirkungsgrad für die heutigen fortschrittlichen Systeme anzubieten.
Kontakt:

Weitere Informationen über dieses Produkt erhalten Sie von Fairchild Semiconductor unter: http://www.fairchildsemi.com/cf/sales_contacts/.

Informationen über andere Produkte, Design-Tools und Vertriebspartner erhalten Sie unter: http://www.fairchildsemi.com.
Anmerkungen für die Redaktion: Ein Datenblatt im PDF-Format finden Sie unter:
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMQ86530L.pdf

Über Fairchild Semiconductor:
Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS) - weltweite Präsenz, lokale Unterstützung, clevere Ideen. Fairchild liefert energieeffiziente, einfach einsetzbare und wertsteigernde Halbleiter-Lösungen für Leistungselektronik und mobile Designs. Mit unserer Erfahrung in den Bereichen Leistungselektronik und Signalpfad unterstützen wir unsere Kunden bei der Differenzierung ihrer Produkte und der Lösung schwieriger technischer Herausforderungen.

Produkt- und Unternehmensvideos, Podcasts und unseren Blog finden Sie unter: http://www.fairchildsemi.com/engineeringconnections

Fairchild Semiconductor
Birgit Fuchs-Laine
Oskar-von-Miller-Str. 4e
82256 Fürstenfeldbruck
089-417761-13

http://www.fairchildsemi.com/

Pressekontakt:
Lucy Turpin Communications
Birgit Fuchs-Laine
Prinzregentenstr. 79
81675 München
fairchild@lucyturpin.com
089-417761-13
http://www.lucyturpin.com



Vier 60 V MOSFETs in einem gemeinsamen Gehäuse als Ersatz von Dioden-Brückenschaltungen verbessern die Systemeffizienz und ermöglichen ein kompaktes Design bei kleinerer Leiterplattenfläche

Fürstenfeldbruck - 29. April 2013 - Die starke Wärmeentwicklung in leistungsfähigen, kompakten aktiven Brückenschaltungen, wie beispielsweise bei Netzwerkkameras, kann Probleme bei der Bildqualität verursachen. Auch thermisch bedingte Störungen können die Bildsensoren des Systems beeinflussen, so dass sich die Bildqualität der Kameras verschlechtern kann. Die typischen Wärmesenken, welche die thermischen Schwankungen ausgleichen sollen, können durch zusätzlich notwendige Bauteile und Leiterplattenfläche die Komplexität dieser Designs noch erhöhen. Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS) hat mit dem FDMQ86530L 60V Quad-MOSFET eine All-in-One-Lösung für diese kritischen Design-Herausforderungen entwickelt.

Die FDMQ86530L Lösung besteht aus vier 60 V N-Kanal MOSFETs und nutzt die GreenBridgeTM Technologie von Fairchild, die den Leitungsverlust und Wirkungsgrad konventioneller Dioden-Brückenschaltungen verbessert. Damit lässt sich eine Reduzierung der Verlustleistung um das bis zu Zehnfache erreichen. Das Bauteil ist in einem thermisch optimierten, platzsparenden 4,5 x 5,0 mm großen 12-poligen MLP-Gehäuse erhältlich und benötigt keine Wärmesenke. Dadurch ist nicht nur ein kompaktes Design, sondern auch ein höherer Wirkungsgrad von 12V- und 24V-AC-Anwendungen möglich.

Spezifikation:

- Max. RDS(ON) = 17,5 m bei VGS = 10 V, ID = 8 A
- Max. RDS(ON) = 23 m bei VGS = 6 V, ID = 7 A
- Max. RDS(ON) = 25 m bei VGS = 4,5 V, ID = 6,5 A

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- Das Produkt FDMQ86530L ist in einem 4,5 x 5,0 mm großen 12-poligen MLP-Gehäuse verfügbar und kostet $1,38

Das Bauteil gehört zu dem umfassenden Portfolio von diskreten MOSFETs von Fairchild. Das Unternehmen ist bestrebt durch innovative Gehäusetechnologien Lösungen mit einer minimalen Größe, einem maximalen thermischen Verhalten und einem hohen Wirkungsgrad für die heutigen fortschrittlichen Systeme anzubieten.
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Anmerkungen für die Redaktion: Ein Datenblatt im PDF-Format finden Sie unter:
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMQ86530L.pdf

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