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 Weitere News: Fairchild Semiconductor und Infineon Technologies schließen Lizenzvereinbarung über eine innovative H-PSOF-Gehäusetechnologie für MOSFETs in Automotive-Anwendungen
Veröffentlicht am Mittwoch, dem 04. April 2012 @ 03:58:50 auf Freie-PresseMitteilungen.de
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Die Vereinbarung gewährleistet den Entwicklern zuverlässige Quellen für innovative Gehäuse
Fürstenfeldbruck und Neubiberg - 03. April 2012 - Fairchild Semiconductor Corp. (NYSE: FCS) und Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) haben eine Lizenzvereinbarung über eine fortschrittliche MOSFET-Gehäusetechnologie von Infineon für Automotive-Anwendungen geschlossen. Das TO-Gehäuse (MO-299) entspricht dem JEDE C-Standard H-PSOF (Heatsink Plastic Small Outline Flat Lead).
Das Gehäuse wurde speziell für den Einsatz in Hochstrom-Automotive-Anwendungen entwickelt, wie für ein Batterie-Management von Hybrid-Fahrzeugen, elektrische Servolenkungen (EPS), aktive Lichtmaschinen oder andere elektrische Systeme mit hoher Leistung. Das TO-Leadless Gehäuse ist das erste Gehäuse, das Ströme von bis zu 300A unterstützt. Gegenüber dem bisherigen D2PAK Gehäuse bietet es entscheidende Vorteile hinsichtlich des Platzbedarfs, da es um mehr als 20 Prozent kleiner ist sowie eine um 50 Prozent geringere Höhe aufweist.
Die Hersteller von Automotive-Elektronik entwickeln neue Start-Stopp-Systeme, elektrische Servolenkungen, Batteriemanagementsysteme oder aktive Lichtmaschinen, um eine höhere Effizienz und weniger Schadstoffausstoß zu erreichen. Hierzu benötigen sie innovative Lösungen, müssen aber möglichst vermeiden, dass entscheidende Komponenten nur von einem einzigen Hersteller verfügbar sind. Um eine zuverlässige Bauteileversorgung sicherzustellen, haben Fairchild und Infineon diese Lizenzvereinbarung geschlossen. Dadurch ist die führende TO-Leadless MOSFET Lösung künftig am Markt nicht mehr nur von einem einzigen Anbieter verfügbar.
Fairchild wird die Leadless TO-Gehäusetechnologie in Verbindung mit seinen neuesten MOSFET-Technologien einsetzen. Erste Muster der MOSFETs im neuen TO-Leadless Gehäuse werden voraussichtlich im zweiten Halbjahr 2012 verfügbar sein, die Bauteile aus der Produktion sind ab Mitte 2013 erhältlich.
"Fairchild Semiconductor kann als Lieferant der Automobilindustrie auf eine langjährige Erfahrung zurückblicken und gehört zu den führenden Anbietern von Leistungshalbleitern für Automobil-Anwendungen", so Marion Limmer, Vice President der Automotive Business Unit von Fairchild. "Durch den Einsatz dieser neuen Gehäusetechnologie ermöglicht Fairchild den Entwicklern von Leistungselektronik, die Eigenschaften der neuesten, extrem niederohmigen MOSFET-Technologien voll zu nützen. Fairchild wird damit seine Präsenz im Automotive-Markt weiter ausbauen."
"Die Automobilbranche profitiert von dieser Vereinbarung durch eine breitere Zuliefererbasis für Komponenten der Hochstrom-Leistungselektronik, deren Abmessungen, Effizienz und Leistung optimiert sind", sagte Jochen Hanebeck, President der Automotive Division bei Infineon Technologies AG. "Infineon ist Technologieführer bei Leistungshalbleitern fürs Fahrzeug. Unser hohes technisches Know-how schafft MOSFETs, mit denen Systemlieferanten der Automobilindustrie die Effizienz und Leistungsfähigkeit ihrer Lösungen optimieren können und nicht nur auf einen Lieferanten angewiesen sind."
Fairchild Semiconductor arbeitet mit den weltweit führenden Automobilherstellern und Systemlieferanten zusammen und entwickelt Halbleiter-Lösungen, die verschiedenste Automobil-Anwendungen unterstützen. Dazu gehören unter anderem die Optimierung des Leistungsmanagements in modernen Fahrzeugarchitekturen, sowie die Reduzierung des Kraftstoffverbrauchs und der Umweltschadstoffe.
Weitere Informationen über den JEDEC-Standard des H-PSOF-Gehäuses TO-Leadless sind verfügbar unter: http://www.jedec.org/. Bitte suchen Sie nach MO-299A.pdf
ÜberInfineon:
Die Infineon Technologies AG bietet Halbleiter- und Systemlösungen an, die drei zentrale Herausforderungen der modernen Gesellschaft adressieren: Energieeffizienz, Mobilität sowie Sicherheit. Mit weltweit rund 26.000 Mitarbeiterinnen und Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2011 (Ende September) einen Umsatz von 4 Milliarden Euro. Das Unternehmen ist in Frankfurt unter dem Symbol "IFX" und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International Premier unter dem Symbol "IFNNY" notiert.
Weitere Informationen unter www.infineon.com
Diese Presseinformation finden Sie unter www.infineon.com/presse
Über Fairchild Semiconductor:
Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS) - weltweite Präsenz, lokale Unterstützung, clevere Ideen. Fairchild liefert energieeffiziente, einfach einsetzbare und wertsteigernde Halbleiter-Lösungen für Leistungselektronik und mobile Designs. Mit unserer Erfahrung in den Bereichen Leistungselektronik und Signalpfad unterstützen wir unsere Kunden bei der Differenzierung ihrer Produkte und der Lösung schwieriger technischer Herausforderungen. Weitere Informationen zum Unternehmen erhalten Sie unter: www.fairchildsemi.com.
Produkt- und Unternehmensvideos, Podcasts und unseren Blog finden Sie unter: http://www.fairchildsemi.com/engineeringconnections
Fairchild Semiconductor
Birgit Fuchs-Laine
Oskar-von-Miller-Str. 4e
82256 Fürstenfeldbruck
089-417761-13
http://www.fairchildsemi.com/
Pressekontakt:
Lucy Turpin Communications
Birgit Fuchs-Laine
Prinzregentenstr. 79
81675 München
fairchild.eu@lucyturpin.com
089-417761-13
http://www.lucyturpin.com
Die Vereinbarung gewährleistet den Entwicklern zuverlässige Quellen für innovative Gehäuse
Fürstenfeldbruck und Neubiberg - 03. April 2012 - Fairchild Semiconductor Corp. (NYSE: FCS) und Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) haben eine Lizenzvereinbarung über eine fortschrittliche MOSFET-Gehäusetechnologie von Infineon für Automotive-Anwendungen geschlossen. Das TO-Gehäuse (MO-299) entspricht dem JEDE C-Standard H-PSOF (Heatsink Plastic Small Outline Flat Lead).
Das Gehäuse wurde speziell für den Einsatz in Hochstrom-Automotive-Anwendungen entwickelt, wie für ein Batterie-Management von Hybrid-Fahrzeugen, elektrische Servolenkungen (EPS), aktive Lichtmaschinen oder andere elektrische Systeme mit hoher Leistung. Das TO-Leadless Gehäuse ist das erste Gehäuse, das Ströme von bis zu 300A unterstützt. Gegenüber dem bisherigen D2PAK Gehäuse bietet es entscheidende Vorteile hinsichtlich des Platzbedarfs, da es um mehr als 20 Prozent kleiner ist sowie eine um 50 Prozent geringere Höhe aufweist.
Die Hersteller von Automotive-Elektronik entwickeln neue Start-Stopp-Systeme, elektrische Servolenkungen, Batteriemanagementsysteme oder aktive Lichtmaschinen, um eine höhere Effizienz und weniger Schadstoffausstoß zu erreichen. Hierzu benötigen sie innovative Lösungen, müssen aber möglichst vermeiden, dass entscheidende Komponenten nur von einem einzigen Hersteller verfügbar sind. Um eine zuverlässige Bauteileversorgung sicherzustellen, haben Fairchild und Infineon diese Lizenzvereinbarung geschlossen. Dadurch ist die führende TO-Leadless MOSFET Lösung künftig am Markt nicht mehr nur von einem einzigen Anbieter verfügbar.
Fairchild wird die Leadless TO-Gehäusetechnologie in Verbindung mit seinen neuesten MOSFET-Technologien einsetzen. Erste Muster der MOSFETs im neuen TO-Leadless Gehäuse werden voraussichtlich im zweiten Halbjahr 2012 verfügbar sein, die Bauteile aus der Produktion sind ab Mitte 2013 erhältlich.
"Fairchild Semiconductor kann als Lieferant der Automobilindustrie auf eine langjährige Erfahrung zurückblicken und gehört zu den führenden Anbietern von Leistungshalbleitern für Automobil-Anwendungen", so Marion Limmer, Vice President der Automotive Business Unit von Fairchild. "Durch den Einsatz dieser neuen Gehäusetechnologie ermöglicht Fairchild den Entwicklern von Leistungselektronik, die Eigenschaften der neuesten, extrem niederohmigen MOSFET-Technologien voll zu nützen. Fairchild wird damit seine Präsenz im Automotive-Markt weiter ausbauen."
"Die Automobilbranche profitiert von dieser Vereinbarung durch eine breitere Zuliefererbasis für Komponenten der Hochstrom-Leistungselektronik, deren Abmessungen, Effizienz und Leistung optimiert sind", sagte Jochen Hanebeck, President der Automotive Division bei Infineon Technologies AG. "Infineon ist Technologieführer bei Leistungshalbleitern fürs Fahrzeug. Unser hohes technisches Know-how schafft MOSFETs, mit denen Systemlieferanten der Automobilindustrie die Effizienz und Leistungsfähigkeit ihrer Lösungen optimieren können und nicht nur auf einen Lieferanten angewiesen sind."
Fairchild Semiconductor arbeitet mit den weltweit führenden Automobilherstellern und Systemlieferanten zusammen und entwickelt Halbleiter-Lösungen, die verschiedenste Automobil-Anwendungen unterstützen. Dazu gehören unter anderem die Optimierung des Leistungsmanagements in modernen Fahrzeugarchitekturen, sowie die Reduzierung des Kraftstoffverbrauchs und der Umweltschadstoffe.
Weitere Informationen über den JEDEC-Standard des H-PSOF-Gehäuses TO-Leadless sind verfügbar unter: http://www.jedec.org/. Bitte suchen Sie nach MO-299A.pdf
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Die Infineon Technologies AG bietet Halbleiter- und Systemlösungen an, die drei zentrale Herausforderungen der modernen Gesellschaft adressieren: Energieeffizienz, Mobilität sowie Sicherheit. Mit weltweit rund 26.000 Mitarbeiterinnen und Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2011 (Ende September) einen Umsatz von 4 Milliarden Euro. Das Unternehmen ist in Frankfurt unter dem Symbol "IFX" und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International Premier unter dem Symbol "IFNNY" notiert.
Weitere Informationen unter www.infineon.com
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