Fujitsu Semiconductor bringt neue Produkte mit 1 Mbit und 2 Mbit SPI FRAM auf den Markt

Mit einer höheren Energieeffizienz und weniger Platzbedarf sind sie optimiert für den Einsatz in Smart Metern, Industriemaschinen und medizinischen Geräten

Langen, Deutschland - 21. März 2013 - Fujitsu Semiconductor Europe (FSEU) stellt mit den Derivaten MB85RS1MT und MB85RS2MT zwei neue Produkte mit ferroelektrischem RAM (FRAM) vor. Mit 1 Mbit bzw. 2 Mbit Speicherdichte haben sie die bisher höchste Kapazität der von Fujitsu Semiconductor angebotenen SPI FRAM Produkte. Muster der neuen Produkte werden ab Ende März erhältlich sein.

Mit 10 Billionen (1013) garantierten Schreib-Lese-Zyklen - zehnmal mehr als herkömmliche FRAM Chips bieten - sind die beiden neuen FRAM Produkte ideal für Anwendungen wie Smart Meter (z.B. intelligente Zähler), Industriemaschinen und medizinische Geräte (z.B. Hörgeräte). MB85RS1MT und MB85RS2MT bieten eine 92 Prozent niedrigere Energieaufnahme bei Schreiboperationen, verglichen mit EEPROM gleicher Speicherdichte. Typischerweise bestehen Systeme in diesem Umfeld aus EEPROM, SRAM und einer Batterie. Die neuen FRAM Produkte bündeln die Funktionen dieser Technologien in einem Chip und ermöglichen so erhebliche Einsparungen bei den Kosten für Bauteile, reduzieren den Platzbedarf als auch den Energieverbrauch. Die neuen 1 Mbit und 2 Mbit SPI FRAM Produkte stellen folglich für eine Vielzahl von Anwendungen eine Alternative zu EEPROM dar, die sowohl deutlich schneller als auch energiesparender ist und gleichzeitig eine hohe Speicherdichte aufweist. Das Ergebnis sind Systeme mit einer höheren Leistung, einer optimierten Datenpersistenz und einer längeren Batterielaufzeit.

Für Anwendungen in Industriemaschinen, in denen SRAM und EEPROM parallel zum Speichern von Daten bzw. Parametern eingesetzt werden, können die neuen FRAM Produkte diese beiden Speichertechnologien vereinen. Durch die vereinfachte Systemarchitektur, die mit dem Einsatz einer einzigen Technologie einhergeht, ergeben sich mehrere Vorteile für den Kunden: ein geringeres Fehlerrisiko im Feldeinsatz, weniger Komponenten im System, ein kleinerer PCB-Platzverbrauch und ein reduzierter Wartungsaufwand für den Batteriewechsel.

Der Vorteil von FRAM liegt in der Kombination von nichtflüchtigem und RAM-Speicher. Mit seiner hohen Schreibgeschwindigkeit kann FRAM auch bei plötzlichen Stromausfällen Daten unverzüglich speichern und so die Integrität der Systemdaten sicherstellen. Aufgrund dieser Eigenschaften sind Fujitsus FRAM Produkte bereits seit 1999 im großflächigen Einsatz in der Fabrikautomation, Messgeräten, Bankautomaten und der Medizintechnik.

Über Fujitsu Semiconductor Europe (FSEU)

Fujitsu Semiconductor Europe ist einer der wichtigsten Zulieferer von "Right-Sized" und fortschrittlichen Halbleiterlösungen. Das Unternehmen mit Hauptsitz in Langen bei Frankfurt am Main bedient die Märkte Automotive, Industrial, Communications und Home Entertainment. Die "Right-Sized"-Strategie von FSEU ist darauf ausgerichtet, Kunden maßgeschneiderte Lösungen und eine höchstmögliche Wertschöpfungstiefe bieten zu können. Ingenieure der europäischen Design-Zentren sowie Forschungs- und Entwicklungseinrichtungen von Fujitsu, die sich analoger und Mixed-Signal-Technologie, Advanced Packaging, Mikrocontrollern, Grafikcontrollern, Multimedia ICs, ASICs und Embedded Software widmen, arbeiten eng mit Marketing- und Vertriebsteams in der EMEA-Region zusammen, um den Anforderungen der Kunden an deren Systementwicklung gerecht zu werden. FSEU-Teams stehen Kunden in Langen, München, Maidenhead bei London, Paris, Mailand, Budapest, Istanbul und Linz, Österreich mit technischem und anwendungsorientiertem Support zur Seite.

Unternehmenswebsite: http://emea.fujitsu.com/semiconductor
Newsletter: http://emea.fujitsu.com/newsletter
Twitter: http://emea.fujitsu.com/twitter
Fujitsu Semiconductor Europe GmbH
Rainer Reitz
Pittlerstr. 47
63225 Langen
06103-6900

http://emea.fujitsu.com/semiconductor

Pressekontakt:
Hotwire
Florian Hohenauer
Franziska-Bilek-Weg 9
80339 München
florian.hohenauer@hotwirepr.com
+49 (0)89 210932-74
http://www.hotwirepr.com

Mit einer höheren Energieeffizienz und weniger Platzbedarf sind sie optimiert für den Einsatz in Smart Metern, Industriemaschinen und medizinischen Geräten

Langen, Deutschland - 21. März 2013 - Fujitsu Semiconductor Europe (FSEU) stellt mit den Derivaten MB85RS1MT und MB85RS2MT zwei neue Produkte mit ferroelektrischem RAM (FRAM) vor. Mit 1 Mbit bzw. 2 Mbit Speicherdichte haben sie die bisher höchste Kapazität der von Fujitsu Semiconductor angebotenen SPI FRAM Produkte. Muster der neuen Produkte werden ab Ende März erhältlich sein.

Mit 10 Billionen (1013) garantierten Schreib-Lese-Zyklen - zehnmal mehr als herkömmliche FRAM Chips bieten - sind die beiden neuen FRAM Produkte ideal für Anwendungen wie Smart Meter (z.B. intelligente Zähler), Industriemaschinen und medizinische Geräte (z.B. Hörgeräte). MB85RS1MT und MB85RS2MT bieten eine 92 Prozent niedrigere Energieaufnahme bei Schreiboperationen, verglichen mit EEPROM gleicher Speicherdichte. Typischerweise bestehen Systeme in diesem Umfeld aus EEPROM, SRAM und einer Batterie. Die neuen FRAM Produkte bündeln die Funktionen dieser Technologien in einem Chip und ermöglichen so erhebliche Einsparungen bei den Kosten für Bauteile, reduzieren den Platzbedarf als auch den Energieverbrauch. Die neuen 1 Mbit und 2 Mbit SPI FRAM Produkte stellen folglich für eine Vielzahl von Anwendungen eine Alternative zu EEPROM dar, die sowohl deutlich schneller als auch energiesparender ist und gleichzeitig eine hohe Speicherdichte aufweist. Das Ergebnis sind Systeme mit einer höheren Leistung, einer optimierten Datenpersistenz und einer längeren Batterielaufzeit.

Für Anwendungen in Industriemaschinen, in denen SRAM und EEPROM parallel zum Speichern von Daten bzw. Parametern eingesetzt werden, können die neuen FRAM Produkte diese beiden Speichertechnologien vereinen. Durch die vereinfachte Systemarchitektur, die mit dem Einsatz einer einzigen Technologie einhergeht, ergeben sich mehrere Vorteile für den Kunden: ein geringeres Fehlerrisiko im Feldeinsatz, weniger Komponenten im System, ein kleinerer PCB-Platzverbrauch und ein reduzierter Wartungsaufwand für den Batteriewechsel.

Der Vorteil von FRAM liegt in der Kombination von nichtflüchtigem und RAM-Speicher. Mit seiner hohen Schreibgeschwindigkeit kann FRAM auch bei plötzlichen Stromausfällen Daten unverzüglich speichern und so die Integrität der Systemdaten sicherstellen. Aufgrund dieser Eigenschaften sind Fujitsus FRAM Produkte bereits seit 1999 im großflächigen Einsatz in der Fabrikautomation, Messgeräten, Bankautomaten und der Medizintechnik.

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