Siliziumkarbid-Schottky-Dioden mit 650 V von Cree ermöglichen hoch effiziente Stromversorgungen für Rechenzentren

Siliziumkarbid-basierte Leistungshalbleiter senken den Stromverbrauch und sparen dadurch Kosten

München, 07. Januar 2011 - Cree, ein führender Anbieter von Leistungshalbleitern auf Basis von Siliziumkarbid, hat mit Z-Rec? eine neue Produktlinie von Junction-Barrier-Schottky-Dioden (JBS) mit 650 Volt vorgestellt. Die Bauteile auf Basis von Siliziumkarbid sind auf die Anforderungen von hoch effizienten Stromversorgungen zugeschnitten, die derzeit in Rechenzentren Einzug halten.

Die Verbesserung der Energieeffizienz von Rechenzentren ist ein Thema, das immer mehr an Bedeutung gewinnt. Nach Ansicht von Experten verbrauchen diese immerhin 10 Prozent des gesamten Stroms, der weltweit erzeugt wird. Kommen effizientere Stromversorgungen in einem Rechenzentrum zum Einsatz, lassen sich die Verbrauchswerte reduzieren und damit die Kosten senken.

Cree hat mit den Z-Rec? 650 V Junction Barrier Schottky-Dioden Leistungshalbleiter entwickelt, mit denen sich besonders effiziente Power Supplies entwickeln lassen. Sie benötigen nach Einschätzung von Fachleuten bis zu 5 Prozent weniger Energie als herkömmliche Stromversorgungen.

Schaltnetzteile haben typischerweise eine Eingangsspannung von 90 bis 264 Volt und sind für unterschiedliche Wechselspannungs-Quellen ausgelegt. Ein Rechenzentrum bezieht von seinem Stromversorger in der Regel Dreiphasen-Wechselstrom mit 480 V. Diesen wandeln Konverter in Dreiphasenstrom mit 208 Volt um, der Server-Systemen zur Verfügung gestellt wird. Diese Umwandlung bringt jedoch Verluste mit sich und verringert die Effizienz. Aus diesem Grund zielen aktuelle Konzepte darauf ab, diese Konversionsverluste zu eliminieren.

Keine Umwandlung mehr erforderlich

Derzeit wird aus einer Dreiphasenspannung von 208 V Servern ein Wechselstrom von 120 V zur Verfügung gestellt. Künftige Netzteile von Server-Systemen sind jedoch für Netzspannungen im Bereich zwischen 90 V und 305 V (277 V plus eine Sicherheitsreserve von10 Prozent) ausgelegt. Diese Versorgungsspannungen werden direkt zwischen dem Aussenleiter eines Dreiphasenwechselstromnetz und dem Neutralleiter bereitgestellt. Der Vorteil liegt auf der Hand: Die Spannung muss nicht mehr von 480 V auf 208 V reduziert werden. Damit entfallen Verluste durch das Konvertieren, und das wiederum wirkt sich positiv auf die Energiekosten aus.

"Siliziumkarbid spielt eine entscheidende Rolle bei der Entwicklung von energieeffizienten Stromversorgungen für Rechenzentren", sagt Cengiz Balkas, Vice President bei Cree und General Manager der Sparte Power and RF. "Leistungshalbleiter auf Basis dieses Materials eliminieren die Verlustleistungen, die bei Schaltdioden normalerweise auftreten." Konventionelle Leistungshalbleiter sind laut Balkas maßgeblich dafür mitverantwortlich, dass der Energiebedarf von Rechenzentren nicht optimal ist. "Hersteller, die solche Bauteile durch Halbleiter auf Basis von SiC ersetzen, können den Blindleistungskompensationswert einer Stromversorgung um bis zu 2 Prozent verbessern", so Balkas weiter. "Dadurch lässt sich die Effizienz solcher Komponenten in deutlich höherem Maße steigern, als wenn ein Entwickler nur Änderungen am Design vornehmen würde."

Als erste Produktreihe der Z-Rec?-Schottky-Dioden mit 650 Volt bringt Cree die Serie C3DXX065A heraus. Sie umfasst Versionen mit 4, 6, 8 und 10 Ampere in einem TO-220-2-Gehäuse. Alle Modelle sind für einen Temperaturbereich von -55° bis +175° Celsius ausgelegt.

Alle Leistungshalbleiter der Reihe C3DXX065A stehen in Produktionsstückzahlen zur Verfügung. Weiter führende Informationen zu den Dioden und die Bezugsmöglichkeiten von Samples stehen auf folgender Web-Seite von Cree zur Verfügung: www.cree.com/power. Dort finden Interessenten zudem Daten über die Schottky-Dioden von Cree mit 600 V, 1200 V und 1700 V.

Über CREE

CREE ist ein weltweit führender Hersteller von LED-Chips, LED-Komponenten und LED-Beleuchtungslösungen. Power-Halbleiter und Bausteine für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen ergänzen das Produktportfolio. Das Unternehmen verfügt über jahrelange Erfahrung in der Herstellung und Verarbeitung von Siliziumcarbid (SiC) und Galliumnitrit (GaN) und war maßgeblich an der Entwicklung der ersten blauen LED beteiligt, die den Weg für die Herstellung weißer LEDs für allgemeine Beleuchtungsanwendungen ebnete. Die energieeffizienten, umweltverträglichen und kostensparenden Hochleistungs-LEDs von CREE eignen sich für die Innen- und Außenbeleuchtung, elektronische Anzeigetafeln, tragbare elektronische Geräte und für die Hintergrundbeleuchtung von Displays. Im Rahmen verschiedener Initiativen fördert CREE den weit verbreiteten Einsatz energieeffizienter und umweltfreundlicher LED-Beleuchtungen anstelle herkömmlicher Leuchtmittel und steht damit an der Spitze der LED-Beleuchtungsrevolution.

Weitere Informationen zum Unternehmen, zu Produkten, Neuigkeiten und Events finden Sie auf der Unternehmenswebseite: www.cree.com.
Cree, Inc
Ortrud Wenzel
Herzog-Wilhelm-Str. 26
80331 München
089-230 31 60

www.cree.com

Pressekontakt:
Fleishman-Hilllard Germany GmbH
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München
cree.de@fleishmaneurope.com
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Siliziumkarbid-basierte Leistungshalbleiter senken den Stromverbrauch und sparen dadurch Kosten

München, 07. Januar 2011 - Cree, ein führender Anbieter von Leistungshalbleitern auf Basis von Siliziumkarbid, hat mit Z-Rec? eine neue Produktlinie von Junction-Barrier-Schottky-Dioden (JBS) mit 650 Volt vorgestellt. Die Bauteile auf Basis von Siliziumkarbid sind auf die Anforderungen von hoch effizienten Stromversorgungen zugeschnitten, die derzeit in Rechenzentren Einzug halten.

Die Verbesserung der Energieeffizienz von Rechenzentren ist ein Thema, das immer mehr an Bedeutung gewinnt. Nach Ansicht von Experten verbrauchen diese immerhin 10 Prozent des gesamten Stroms, der weltweit erzeugt wird. Kommen effizientere Stromversorgungen in einem Rechenzentrum zum Einsatz, lassen sich die Verbrauchswerte reduzieren und damit die Kosten senken.

Cree hat mit den Z-Rec? 650 V Junction Barrier Schottky-Dioden Leistungshalbleiter entwickelt, mit denen sich besonders effiziente Power Supplies entwickeln lassen. Sie benötigen nach Einschätzung von Fachleuten bis zu 5 Prozent weniger Energie als herkömmliche Stromversorgungen.

Schaltnetzteile haben typischerweise eine Eingangsspannung von 90 bis 264 Volt und sind für unterschiedliche Wechselspannungs-Quellen ausgelegt. Ein Rechenzentrum bezieht von seinem Stromversorger in der Regel Dreiphasen-Wechselstrom mit 480 V. Diesen wandeln Konverter in Dreiphasenstrom mit 208 Volt um, der Server-Systemen zur Verfügung gestellt wird. Diese Umwandlung bringt jedoch Verluste mit sich und verringert die Effizienz. Aus diesem Grund zielen aktuelle Konzepte darauf ab, diese Konversionsverluste zu eliminieren.

Keine Umwandlung mehr erforderlich

Derzeit wird aus einer Dreiphasenspannung von 208 V Servern ein Wechselstrom von 120 V zur Verfügung gestellt. Künftige Netzteile von Server-Systemen sind jedoch für Netzspannungen im Bereich zwischen 90 V und 305 V (277 V plus eine Sicherheitsreserve von10 Prozent) ausgelegt. Diese Versorgungsspannungen werden direkt zwischen dem Aussenleiter eines Dreiphasenwechselstromnetz und dem Neutralleiter bereitgestellt. Der Vorteil liegt auf der Hand: Die Spannung muss nicht mehr von 480 V auf 208 V reduziert werden. Damit entfallen Verluste durch das Konvertieren, und das wiederum wirkt sich positiv auf die Energiekosten aus.

"Siliziumkarbid spielt eine entscheidende Rolle bei der Entwicklung von energieeffizienten Stromversorgungen für Rechenzentren", sagt Cengiz Balkas, Vice President bei Cree und General Manager der Sparte Power and RF. "Leistungshalbleiter auf Basis dieses Materials eliminieren die Verlustleistungen, die bei Schaltdioden normalerweise auftreten." Konventionelle Leistungshalbleiter sind laut Balkas maßgeblich dafür mitverantwortlich, dass der Energiebedarf von Rechenzentren nicht optimal ist. "Hersteller, die solche Bauteile durch Halbleiter auf Basis von SiC ersetzen, können den Blindleistungskompensationswert einer Stromversorgung um bis zu 2 Prozent verbessern", so Balkas weiter. "Dadurch lässt sich die Effizienz solcher Komponenten in deutlich höherem Maße steigern, als wenn ein Entwickler nur Änderungen am Design vornehmen würde."

Als erste Produktreihe der Z-Rec?-Schottky-Dioden mit 650 Volt bringt Cree die Serie C3DXX065A heraus. Sie umfasst Versionen mit 4, 6, 8 und 10 Ampere in einem TO-220-2-Gehäuse. Alle Modelle sind für einen Temperaturbereich von -55° bis +175° Celsius ausgelegt.

Alle Leistungshalbleiter der Reihe C3DXX065A stehen in Produktionsstückzahlen zur Verfügung. Weiter führende Informationen zu den Dioden und die Bezugsmöglichkeiten von Samples stehen auf folgender Web-Seite von Cree zur Verfügung: www.cree.com/power. Dort finden Interessenten zudem Daten über die Schottky-Dioden von Cree mit 600 V, 1200 V und 1700 V.

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Weitere Informationen zum Unternehmen, zu Produkten, Neuigkeiten und Events finden Sie auf der Unternehmenswebseite: www.cree.com.
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