Cree liefert RF-Leistungstransistoren und High-Power-MMIC-Verstärker-Bausteine mit Gesamtleistung von mehr als 10 Millionen Watt aus

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Veröffentlicht am Mittwoch, dem 06. Juli 2011 @ 13:55:49 auf Freie-PresseMitteilungen.de

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München, 04. Juli 2011 - Der Geschäftsbereich RF von Cree hat seit April 2011 GaN-on-SiC-RF-Leistungstransistoren und MMIC-Produkte mit einer RF-Leistung von insgesamt 10 Millionen Watt ausgeliefert. Dies unterstreicht die Qualität, Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit der Technologie, die Cree für die Herstellung von HEMT- und MMIC-Bausteinen auf Basis von Gallium-Nitrit (GaN) entwickelt hat. Der Wert von 10 Millionen bezieht sich nur auf kommerziell verfügbare RF-Produkte, nicht auf Bausteine mit weiteren 1,5 Millionen Watt, die Cree im Rahmen seiner GaN-MMIC-Foundry-Services bereitstellte.

Cree erreichte diesen Meilenstein bei einer gleichbleibend niedrigen Failure-in-Time-Rate (FIT) von 10 Ausfällen pro Milliarden Stunden. Das sind 80 Prozent weniger als bei anderen Technologien, die bei der Fertigung von RF-Leistungstransistoren Verwendung finden.

"Insgesamt kamen unsere GaN-on-SiC-Komponenten bislang auf eine Einsatzzeit von mehr als 1,4 Milliarden Stunden, und das bei einer Zuverlässigkeit, die deutlich höher liegt als die von anderen Verfahren, mit denen Hochspannungs-RF-Halbleiter oder GaN-Bausteine hergestellt werden", sagt Jim Milligan, Director des Bereichs RF von Cree. Laut Milligan haben bislang die Produkte keines anderen amerikanischen Herstellers von GaN-Halbleiterprodukten eine ähnlich hohe Verbreitung gefunden. Im Einsatz sind nicht nur diskrete Transistoren, sondern auch komplexe GaN-MMICs (Monolithic Microwave Integrated Circuits).

"Die Marke von 10 Millionen Watt ist ein Beleg dafür, wie schnell unsere GaN-Technologie angenommen wurde", ergänzt Milligan. Das gelte nicht nur für Anwendungen im militärischen Bereich, sondern auch für Basisstationen in der Telekommunikation, Breitband-Testsysteme, Radargeräte für den zivilen Sektor und die Medizintechnik. "Wenn wir unsere Expansion in diesen neuen Marktsegmenten mit derselben Geschwindigkeit fortsetzen, werden wir bis zum Jahresende 2011 den Wert von 10 Millionen Watt verdoppeln", so Jim Milligan.

Weitere Informationen zu den RF-Produkten von Cree sind auf folgender Web-Seite zu finden: http://www.cree.com/rf.
Über CREE

CREE ist ein weltweit führender Hersteller von LED-Chips, LED-Komponenten und LED-Beleuchtungslösungen. Power-Halbleiter und Bausteine für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen ergänzen das Produktportfolio. Das Unternehmen verfügt über jahrelange Erfahrung in der Herstellung und Verarbeitung von Siliziumcarbid (SiC) und Galliumnitrit (GaN) und war maßgeblich an der Entwicklung der ersten blauen LED beteiligt, die den Weg für die Herstellung weißer LEDs für allgemeine Beleuchtungsanwendungen ebnete. Die energieeffizienten, umweltverträglichen und kostensparenden Hochleistungs-LEDs von CREE eignen sich für die Innen- und Außenbeleuchtung, elektronische Anzeigetafeln, tragbare elektronische Geräte und für die Hintergrundbeleuchtung von Displays. Im Rahmen verschiedener Initiativen fördert CREE den weit verbreiteten Einsatz energieeffizienter und umweltfreundlicher LED-Beleuchtungen anstelle herkömmlicher Leuchtmittel und steht damit an der Spitze der LED-Beleuchtungsrevolution.

Weitere Informationen zum Unternehmen, zu Produkten, Neuigkeiten und Events finden Sie auf der Unternehmenswebseite: www.cree.com.
Cree, Inc
Ortrud Wenzel
Herzog-Wilhelm-Str. 26
80331 München
089-230 31 60
www.cree.com

Pressekontakt:
Fleishman-Hilllard Germany GmbH
Ortrud Wenzel
Herzog-Wilhelm-Str. 26
80331 München
cree.de@fleishmaneurope.com
089-230 31 60
http://cree.fleishmaneurope.de/

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München, 04. Juli 2011 - Der Geschäftsbereich RF von Cree hat seit April 2011 GaN-on-SiC-RF-Leistungstransistoren und MMIC-Produkte mit einer RF-Leistung von insgesamt 10 Millionen Watt ausgeliefert. Dies unterstreicht die Qualität, Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit der Technologie, die Cree für die Herstellung von HEMT- und MMIC-Bausteinen auf Basis von Gallium-Nitrit (GaN) entwickelt hat. Der Wert von 10 Millionen bezieht sich nur auf kommerziell verfügbare RF-Produkte, nicht auf Bausteine mit weiteren 1,5 Millionen Watt, die Cree im Rahmen seiner GaN-MMIC-Foundry-Services bereitstellte.

Cree erreichte diesen Meilenstein bei einer gleichbleibend niedrigen Failure-in-Time-Rate (FIT) von 10 Ausfällen pro Milliarden Stunden. Das sind 80 Prozent weniger als bei anderen Technologien, die bei der Fertigung von RF-Leistungstransistoren Verwendung finden.

"Insgesamt kamen unsere GaN-on-SiC-Komponenten bislang auf eine Einsatzzeit von mehr als 1,4 Milliarden Stunden, und das bei einer Zuverlässigkeit, die deutlich höher liegt als die von anderen Verfahren, mit denen Hochspannungs-RF-Halbleiter oder GaN-Bausteine hergestellt werden", sagt Jim Milligan, Director des Bereichs RF von Cree. Laut Milligan haben bislang die Produkte keines anderen amerikanischen Herstellers von GaN-Halbleiterprodukten eine ähnlich hohe Verbreitung gefunden. Im Einsatz sind nicht nur diskrete Transistoren, sondern auch komplexe GaN-MMICs (Monolithic Microwave Integrated Circuits).

"Die Marke von 10 Millionen Watt ist ein Beleg dafür, wie schnell unsere GaN-Technologie angenommen wurde", ergänzt Milligan. Das gelte nicht nur für Anwendungen im militärischen Bereich, sondern auch für Basisstationen in der Telekommunikation, Breitband-Testsysteme, Radargeräte für den zivilen Sektor und die Medizintechnik. "Wenn wir unsere Expansion in diesen neuen Marktsegmenten mit derselben Geschwindigkeit fortsetzen, werden wir bis zum Jahresende 2011 den Wert von 10 Millionen Watt verdoppeln", so Jim Milligan.

Weitere Informationen zu den RF-Produkten von Cree sind auf folgender Web-Seite zu finden: http://www.cree.com/rf.
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CREE ist ein weltweit führender Hersteller von LED-Chips, LED-Komponenten und LED-Beleuchtungslösungen. Power-Halbleiter und Bausteine für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen ergänzen das Produktportfolio. Das Unternehmen verfügt über jahrelange Erfahrung in der Herstellung und Verarbeitung von Siliziumcarbid (SiC) und Galliumnitrit (GaN) und war maßgeblich an der Entwicklung der ersten blauen LED beteiligt, die den Weg für die Herstellung weißer LEDs für allgemeine Beleuchtungsanwendungen ebnete. Die energieeffizienten, umweltverträglichen und kostensparenden Hochleistungs-LEDs von CREE eignen sich für die Innen- und Außenbeleuchtung, elektronische Anzeigetafeln, tragbare elektronische Geräte und für die Hintergrundbeleuchtung von Displays. Im Rahmen verschiedener Initiativen fördert CREE den weit verbreiteten Einsatz energieeffizienter und umweltfreundlicher LED-Beleuchtungen anstelle herkömmlicher Leuchtmittel und steht damit an der Spitze der LED-Beleuchtungsrevolution.

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